單晶硅拉晶的過程

單晶硅

單晶硅拉制過程主要是分六個(gè)步驟:

首先就是一個(gè)硅料的熔化過程——晶力的引晶過程——縮頸生長(zhǎng)——放肩——收尾。

1、主要它是包括現(xiàn)在加熱器跟碳碳堝幫的匹配上它的高度上的一些關(guān)鍵點(diǎn)。

2、拉晶氛圍：整個(gè)的一個(gè)氛圍全都是氬氣保護(hù)的。

3、拉晶氣流：咱們重點(diǎn)說一下拉近拉晶氣流，就是高溫的硅蒸汽是順著熱屏內(nèi)膽向下流的，氣流從上往下引流。從石英坩堝跟碳碳坩堝的表面走過底部然后抽走的這樣一個(gè)氣體的流向，所以這個(gè)流向就導(dǎo)致我們現(xiàn)在堝幫的上端部分跟熱屏外膽的就是導(dǎo)流筒的外體部容易受這個(gè)高溫硅蒸汽的腐蝕、容易掉渣，因?yàn)樯商蓟枰院笤谏禍氐倪^程中它就會(huì)掉渣，另外就是熱氣吹什么的都會(huì)加快腐蝕。

4、拉晶溫度：就是我們都知道熱場(chǎng)還有液面，液面下的溫度是越高越好，液面以上的溫度是越低越好，你保證這個(gè)液面以下就是保證硅料是融化的容易結(jié)晶，以上它溫度低了以后還是保證盡快的硅棒溫度降下來(lái)，然后在提拉的過程中保證住它的強(qiáng)度這是關(guān)于溫度控制。

5、熱屏外膽：影響單晶硅品質(zhì)的一個(gè)很重要的因素，因?yàn)樗窃诠枇系纳隙?，在腐蝕的過程中，碳顆粒的脫落包括碳化硅顆粒的脫落都會(huì)掉到坩堝里面，所以熱屏的質(zhì)量是要求非常高的，特別是熱屏外膽的底部要求做的底部的密度要做得非常高，所以我們現(xiàn)在也在考慮把熱屏外膽的底部提前做一個(gè)抗腐蝕的碳化硅涂層，進(jìn)一步提升它的抗腐蝕性能。另外就是說熱屏既是一個(gè)導(dǎo)氣的東西，它又是一個(gè)隔熱的就是導(dǎo)流筒的存在，一個(gè)是降低晶棒的附近的溫度，另外還有引導(dǎo)氬氣流從上部往下流，所以即導(dǎo)流筒又叫隔熱屏，這是叫法的問題。

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