?PECVD中RF 和VHF哪個(gè)更好
發(fā)布時(shí)間：2020-12-07 點(diǎn)擊次數(shù)：5690
氣體分子在外加射頻場(chǎng)下被電離成對(duì)應(yīng)的等離子體，按照射頻施加頻率的不同，可分為 RF-PECVD 和 VHF-PECVD 兩種，其中 RF-PECVD 的頻率一般為 13.56MHz，VHF-PECVD 的頻率一般在 30-300MHz 之間。由于射頻頻率與電 子和氣體分子的碰撞幾率成正相關(guān)關(guān)系，一定范圍內(nèi)升高射頻頻率，反應(yīng)氣體的分解速率將加快，短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大 量反應(yīng)活性基團(tuán)，可提升薄膜的沉積速率；另一方面，高頻場(chǎng)下腔室內(nèi)的電子濃度增加、反應(yīng)溫度和直流自偏壓降 低，能夠減小等離子體的離化程度以及轟擊效應(yīng)，且有利于生成更多的反應(yīng)前驅(qū)物，保證了薄膜優(yōu)質(zhì)生長(zhǎng)，薄膜缺更少、致密性更佳、電導(dǎo)率更高。但是高頻場(chǎng)極易導(dǎo)致更多非均勻源的出現(xiàn)，從而引發(fā)駐波、奇點(diǎn)等效應(yīng)，膜面容易脫落或出現(xiàn)條紋，使得薄膜的均 勻性變差；此外，由于甚高頻下薄膜的沉積速率會(huì)大大增加，不利于沉積過(guò)程中對(duì)薄膜厚度的精準(zhǔn)控制，同時(shí)薄膜 厚度的增加也會(huì)導(dǎo)致透光率的降低。
RF 鍍膜均勻性好，VHF 高沉積速率提升產(chǎn)能
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